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BZT52-B8V2分立半导体产品二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

BZT52-B8V2
厂商型号

BZT52-B8V2

参数属性

BZT52-B8V2 封装/外壳为SOD-123;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单;产品描述:DIODE ZENER 8.2V 590MW SOD123

功能描述

Single Zener diodes in a SOD123 package
DIODE ZENER 8.2V 590MW SOD123

文件大小

181.9 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-20 23:00:00

BZT52-B8V2规格书详情

1.1 General description

General-purpose Zener diodes in a SOD123 small Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

1.2 Features and benefits

• Total power dissipation: ≤ 590 mW

• Wide working voltage range: nominal 2.4 V to 75 V (E24 range)

• Small plastic package suitable for surface-mounted design

• Low differential resistance

• B selection

• AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

• General regulation functions

BZT52-B8V2属于分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单。安世半导体(中国)有限公司制造生产的BZT52-B8V2二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

产品属性

  • 产品编号:

    BZT52-B8V2J

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 容差:

    ±1.95%

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOD-123

  • 供应商器件封装:

    SOD-123

  • 描述:

    DIODE ZENER 8.2V 590MW SOD123

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