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BZT03C39-TAP

Package:SOD-57,轴向;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 描述:TVS DIODE 33VWM 54.1VC SOD57

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BZT03C39-TR

Silicon Zener-Diodes with Surge Current Specification

Features • Glass passivated junction • Hermetically sealed package • Clamping time in picoseconds Applications Medium power voltage regulators and medium power transient suppression circuits

文件:275.68 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

BZW03C39

Zener Diodes with Surge Current Specification

文件:101.11 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

BZW03C39

6W 39V TAIWAN SUNMATE SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

文件:399.799 Kbytes 页数:2 Pages

SUNMATE

森美特

PDF上传者:深圳冠荣电子有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    BZT03C39-TAP

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 系列:

    BZT03

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±5.13%

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    SOD-57,轴向

  • 供应商器件封装:

    SOD-57

  • 描述:

    TVS DIODE 33VWM 54.1VC SOD57

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更多BZT03C39-TAP供应商 更新时间2026-2-3 16:30:00