BZS55C8V2中文资料1206 (Ceramics), 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode数据手册TSC规格书
| 厂商型号 |
BZS55C8V2 |
| 参数属性 | BZS55C8V2 封装/外壳为1206（3216 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单；产品描述：DIODE ZENER 8.2V 500MW 1206 |
| 功能描述 | 1206 (Ceramics), 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode |
| 封装外壳 | 1206（3216 公制） |
| 制造商 | TSC Taiwan Semiconductor Company, Ltd |
| 中文名称 | 台湾半导体 台湾半导体股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 17:36:00 |
| 人工找货 | BZS55C8V2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BZS55C8V2规格书详情
简介
BZS55C8V2属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由TSC制造生产的BZS55C8V2二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
技术参数
更多- 制造商编号
：BZS55C8V2
- 生产厂家
：TSC
- VZ Nom. (V)
：8.2
- VR (V)
：6.2
- IR @ VR (µA)
：0.1
- IR @ VR Max. (µA)
：-
- PD (mW)
：500
- Status
：Active
- AEC-Q
：No
- Tolerance ± (%)
：5
- TJ Max. (°C)
：150
- Family
：Small Signal Zener Diode
- IZT (mA)
：5
- MSL
：1
- IZK (mA)
：1.00
- ZZK @ IZK (Ω)
：50
- ZZT @ IZT (Ω)
：7
- VZ Min. (V)
：7.79
- VZ Max. (V)
：8.61
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