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BZS55C6V8分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

BZS55C6V8

参数属性

BZS55C6V8 封装/外壳为1206(3216 公制);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW 1206

功能描述

500mW 5 Zener Diodes
DIODE ZENER 6.8V 500MW 1206

封装外壳

1206(3216 公制)

文件大小

383.75 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

TSC

中文名称

台湾半导体

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更新时间

2025-12-14 23:01:00

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BZS55C6V8规格书详情

BZS55C6V8属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由台湾半导体股份有限公司制造生产的BZS55C6V8二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BZS55C6V8 RXG

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±5%

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    1206(3216 公制)

  • 供应商器件封装:

    1206

  • 描述:

    DIODE ZENER 6.8V 500MW 1206

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