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CEM0410	文件：743.28 Kbytes Page：4 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,3.4A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM0410	文件：1.46176 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEM0410	文件：717.16 Kbytes Page：4 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,3.4A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM0410SL	文件：795.1 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,3.2A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=165mW@VGS=3V. RDS(ON)=130mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEZC0410SL	文件：1.029839 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,10A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=130mW@VGS=5V. RDS(ON)=165mW@VGS=3V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CHA0410	文件：1.35567 Mbytes Page：25 Pages	XLamp®CHA0410LED FEATURES •4.2‑mmopticalsource •Availablein80-,90‑and95‑minimum CRIoptions •EasyWhite®2-and3‑stepbinning •PremiumColor2-and3-stepbinning •Forwardvoltageoptions:12‑Vclass& 36‑Vclass •85°Cbinningandcharacterization •Maximumdrivecurrent:900mA(12V), 300	CREELED Cree LED	CREELED
CHA0410	文件：1.16192 Mbytes Page：23 Pages	XLamp®CHA0410Pro9™LED FEATURES •4.2‑mmopticalsource •Availablein90and95CRIminimumoptions •EasyWhite®2-and3‑stepbinning •PremiumColor3-stepbinning •Forwardvoltageoptions:12‑Vclass&36‑Vclass •85°Cbinningandcharacterization •Maximumdrivecurrent:900mA(12V),300mA(36V) •11	CREELED Cree LED	CREELED
CRO0410A-LF	文件：111.44 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillator	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
CRO0410A-LF	文件：93.29 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillatorSurfaceMountModule	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
CSHB0410	文件：792.05 Kbytes Page：7 Pages	MoldingPowerChoke Features： ▪Corematerial:Alloypowder ▪Coreandwindingloss: Seehttps://www.codaca.com/DesignTool_Power-Inductor-Loss- Comparison.html ▪Enviromental:RoHS,Reachcompliant,Halogenfree ▪Weight:0.19g ▪MoistureSensitivity:Level(MSL)1 (unlimitedfloorlifeat5～40℃,RH≤70relative	CODACAShenzhen Codaca Electronic Co.,Ltd 科达嘉电子深圳市科达嘉电子有限公司	CODACA

详细参数

型号：
BZG0410
功能描述：
Silicon Transient Voltage Suppressors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳诚思涵科技有限公司	BZG04-10	VISHAY	16+	DO-214AC	130000	鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥!	询价
深圳市一线半导体有限公司	BZG04-10	恩XP	24+	DO-214SMA	28650	新进库存/原装	询价
深圳冠荣电子有限公司	BZG04-10	SUNMATE(森美特)	2019+ROHS	DO-214AC(SMA)	66688	森美特高品质产品原装正品免费送样	询价
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司	BZG04-10	VISHAY	24+	DO-214AC	130000	原装现货假一赔十	询价
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更多BZG0410供应商更新时间2025-7-23 15:14:00

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