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BZD27C5V6P分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

BZD27C5V6P

参数属性

BZD27C5V6P 封装/外壳为DO-219AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 5.6V 800MW DO219AB

功能描述

Zener Diodes with Surge Current Specification

封装外壳

DO-219AB

文件大小

238.7 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

VAISH

中文名称

威世

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-16 9:48:00

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BZD27C5V6P规格书详情

特性 Features

• Sillicon Planar Zener Diodes

• Low profile surface-mount package

• Zener and surge current specification

• Low leakage current

• Excellent stability

• High temperature soldering: 260 °C/10 sec. at terminals

• Lead (Pb)-free component

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

产品属性

  • 产品编号:

    BZD27C5V6P-E3-18

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 系列:

    BZD27C

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-219AB

  • 供应商器件封装:

    DO-219AB(SMF)

  • 描述:

    DIODE ZENER 5.6V 800MW DO219AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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