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BZD27C3V9P数据手册分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF

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厂商型号

BZD27C3V9P

参数属性

BZD27C3V9P 封装/外壳为DO-219AB;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB

功能描述

稳压二极管

封装外壳

DO-219AB

制造商

LGE Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

中文名称

鲁光电子 深圳市鲁光电子科技有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 22:58:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BZD27C3V9P

  • 生产厂家

    :LGE

  • Pd(W)

    :0.8

  • VZ(Min)

    :3.7

  • VZ(Nom)

    :3.9

  • VZ(Max)

    :4.1

  • IZT(mA)

    :100

  • IR(uA)

    :50

  • VR(V)

    :1

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