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BZD27B9V1P中文资料Zener Diodes with Surge Current Specification数据手册Vishay规格书

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厂商型号

BZD27B9V1P

参数属性

BZD27B9V1P 封装/外壳为DO-219AB;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 9.1V 800MW DO219AB

功能描述

Zener Diodes with Surge Current Specification

封装外壳

DO-219AB

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

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更新时间

2025-9-25 14:38:00

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BZD27B9V1P规格书详情

特性 Features

Sillicon planar Zener diodes
Voltage range includes 43 breakdown voltages from 3.6 V to 200 V with ± 2 % for BZD27B-M Series
Low profile surface-mount package

技术参数

  • 制造商编号

    :BZD27B9V1P

  • 生产厂家

    :Vishay

  • Vz max(V)

    :200.0

  • Vz nom(V)

    :9.1

  • Izt(mA)

    :50

  • Ptot(mW)

    :2300

  • Package

    :SMF (DO-219AB)

  • Vz specification

    :Pulse current

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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