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BZD27B30P数据手册分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF

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厂商型号

BZD27B30P

参数属性

BZD27B30P 封装/外壳为DO-219AB;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 30V 800MW DO219AB

功能描述

Zener Diodes with Surge Current Specification

封装外壳

DO-219AB

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 22:30:00

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BZD27B30P规格书详情

特性 Features

Sillicon planar Zener diodes
Voltage range includes 43 breakdown voltages from 3.6 V to 200 V with ± 2 % for BZD27B-M Series
Low profile surface-mount package

技术参数

  • 制造商编号

    :BZD27B30P

  • 生产厂家

    :Vishay

  • Vz max(V)

    :200.0

  • Vz nom(V)

    :30.0

  • Izt(mA)

    :25

  • Ptot(mW)

    :2300

  • Package

    :SMF (DO-219AB)

  • Vz specification

    :Pulse current

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