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BYV32G-200	文件：413.37 Kbytes Page：11 Pages	型号：BYV32G-200；Package：I2PAK；Dual ultrafast power diode 文件：413.37 Kbytes 页数：11 Pages	瑞能半导体	ETC
BYV32G-200	文件：413.37 Kbytes Page：11 Pages	型号：BYV32G-200；Package：I2PAK；Dual ultrafast power diode 文件：413.37 Kbytes 页数：11 Pages	瑞能半导体	ETC
	文件：294.11 Kbytes Page：2 Pages	型号：BYV32G-200；Ultrafast Rectifier Diode FEATURES · High thermal cycling performance · Low on-state losses · Low thermal resistance · Soft recovery characteristic APPLICATIONS · Switched mode power supplies · Power Factor Correction (PFC) for Interleaved Topology 文件：294.11 Kbytes 页数：2 Pages	无锡固电	ETC
	文件：156.62 Kbytes Page：11 Pages	型号：BYV32G-200；Dual ultrafast power diode 文件：156.62 Kbytes 页数：11 Pages	恩XP	恩XP
	文件：156.62 Kbytes Page：11 Pages	型号：BYV32G-200_15；Dual ultrafast power diode 文件：156.62 Kbytes 页数：11 Pages	PHI	PHI

详细参数

型号：
BYV32G-200
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 DUAL ULTRAFAST PWR DIODE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

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