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BYV32EB-300P中文资料Power Diodes数据手册WeEn规格书

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厂商型号

BYV32EB-300P

参数属性

BYV32EB-300P 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DUAL ULTRAFAST POWER DIODE

功能描述

Power Diodes
DUAL ULTRAFAST POWER DIODE

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

WeEn WeEn Semiconductors

中文名称

瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 10:06:00

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BYV32EB-300P规格书详情

描述 Description

Dual ultrafast power diode in a TO263 (D2PAK) plastic package.

特性 Features

• Ultra low leakage current
• High junction temperature up to 175 °C
• Low on-state loss
• Fast switching
• Soft recovery characteristic minimizes power consuming oscillations
• High reverse surge capability
• High thermal cycling performance
• Low thermal resistance

应用 Application

• Home appliance power supply
• Secondary rectification

简介

BYV32EB-300P属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的BYV32EB-300P二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BYV32EB-300P

  • 生产厂家

    :WeEn

  • Package name

    :TO263

  • number of diodes

    :2

  • IO(AV) [max]

    :20

  • Tj [max]

    :175

  • VRRM [max]

    :300

  • VF [typ] @ Tj = 150 °C

    :1.25

  • @ IF

    :10

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