首页>BYM200B170DN2>规格书详情
BYM200B170DN2中文资料IGBT-Modules数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
BYM200B170DN2
- 功能描述：
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 200A
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 产品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
600 V
- 集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流：
230 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 封装/箱体：
34MM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
30000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FSC |
23+ |
SOP-8 |
12000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
PH |
24+ |
SOD-64 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
FAGR |
25+ |
AXIAL |
1102 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOD-64 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
PHI |
22+ |
SOD-64 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
24+ |
32000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||||
PHI |
2223+ |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | |||
PHI |
24+ |
6200 |
询价 | ||||
PHI |
SOD-64 |
600 |
原装长期供货! |
询价 |
