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BYG23M中文资料65ns, 1.5A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier数据手册TSC规格书

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厂商型号

BYG23M

参数属性

BYG23M 封装/外壳为DO-214AC,SMA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

功能描述

65ns, 1.5A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier

封装外壳

DO-214AC,SMA

制造商

TSC Taiwan Semiconductor Company, Ltd

中文名称

台湾半导体 台湾半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BYG23M

  • 生产厂家

    :TSC

  • trr (ns)

    :65

  • VRRM (V)

    :1000

  • IF(AV) (A)

    :1.5

  • IFSM (A)

    :50

  • Technology

    :GPP

  • IR (µA)

    :1

  • VF (V)

    :1.7

  • Status

    :Active

  • AEC-Q

    :No

  • TJ Max. (°C)

    :150

  • Family

    :High Efficient

  • MSL

    :1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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