BYD33D中文资料FAST RECOVERY RECTIFIERS数据手册Galaxy规格书

厂商型号 |
BYD33D |
参数属性 | BYD33D 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL |
功能描述 | FAST RECOVERY RECTIFIERS |
封装外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
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BYD33D规格书详情
描述 Description
VOLTAGE RANGE: 200 --- 1000 V
CURRENT: 1.3 AFEATURES
Low cost
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon,Isopropanol and similar solvents
特性 Features
Low cost
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon,Isopropanol and similar solvents
技术参数
- 产品编号:
BYD33DGP-E3/73
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
带盒(TB)
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
1A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-204AL,DO-41,轴向
- 供应商器件封装:
DO-204AL(DO-41)
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 175°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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