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BYC8B-600P中文资料PDF规格书

BYC8B-600P
厂商型号

BYC8B-600P

参数属性

BYC8B-600P 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 8A

功能描述

Hyperfast power diode

文件大小

247.77 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 WeEn Semiconductors
企业简称

WEEN瑞能半导体

中文名称

瑞能半导体科技股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-13 22:59:00

BYC8B-600P规格书详情

General description

Hyperfast power diode in a SOT404 (D2PAK) surface-mountable plastic package.

Features and benefits

• Fast switching

• Surface-mountable package

• Low leakage current

• Low reverse recovery current

• Low thermal resistance

• Reduces switching losses in associated MOSFET

Applications

• Continuous Current Mode (CCM) Power Factor Correction (PFC)

• Half-bridge/full-bridge switched-mode power supplies

产品属性

  • 产品编号:

    BYC8B-600PQP

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 8A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP(恩智浦)
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标准封装
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WEEN
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