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BVSS123LT1G

Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts

Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N−Channel SOT−23 Features • Pb−Free Packages are Available

文件:115.51 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

LBSS123LT1

N-CHANNEL POWER MOSFET

N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURE ● Pb-Free Package is available.

文件:99.51 Kbytes 页数:4 Pages

LRC

乐山无线电

LBSS123LT1G

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Threshold: 2 V (typ.) • Low Input Capacitance: 25 pF • Fast Switching Speed: 25 ns • Low Input and Output Leakage • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:1.74991 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

LBSS123LT1G

N-CHANNEL POWER MOSFET

N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURE ● Pb-Free Package is available.

文件:99.51 Kbytes 页数:4 Pages

LRC

乐山无线电

详细参数

  • 型号:

    BVSS123LT1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET 100V 170MA 6OH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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25+
SOT-23
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