| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
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INFINEON/英飞凌TO220-3 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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8年
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TITO-220AB |
11580 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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TITO-220AB |
11528 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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15年
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inf |
21322 |
2602+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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12年
留言
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SiemensROHS |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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10年
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INTESILTO-220 |
10000 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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11年
留言
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InfineonTO-220 |
30000 |
25+ |
代理全新原装现货 价格优势 |
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13年
留言
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SIEMENSQFP |
3200 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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10年
留言
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INTESILTO-220 |
10000 |
25+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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16年
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Infineon(英飞凌) |
12677 |
26+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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11年
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
26800 |
25+ |
保证全新原装正品 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
26800 |
2526+ |
只做原装正品,为客户做到零风险 |
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1年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
26800 |
25+ |
保证全新原装正品 |
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17年
留言
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INF |
17 |
24+ |
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10年
留言
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InfineonQFN |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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19年
留言
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INFINEONTO-220 |
1421 |
9819 |
全新 发货1-2天 |
BUZ32采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BUZ32H价格
BUZ32H价格:¥4.7443品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BUZ32H多少钱,想知道BUZ32H价格是多少?参考价:¥4.7443。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BUZ32H批发价格及采购报价,BUZ32H销售排行榜及行情走势,BUZ32H报价。
BUZ32中文资料Alldatasheet PDF
更多BUZ32功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ32 E3045A功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BUZ32 H功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ32 H3045A功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ32 L3045A功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ323制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BUZ325制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor
BUZ326制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor(N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ32CHIP功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.5A I(D) | CHIP
BUZ32E3045ANT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R

























