| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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16年
留言
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INF |
220 |
23+ |
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13年
留言
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INFINEOTO-220 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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6年
留言
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JINGDAO/晶导微SMBF |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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2年
留言
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INFINEONTO-220 |
3556 |
26+ |
芯为深仓现货 |
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11年
留言
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??? |
3000 |
26+ |
进口原装现货 |
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6年
留言
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INFINEONTO-220 |
220 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
26800 |
2526+ |
只做原装正品,为客户做到零风险 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
7000 |
23+ |
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1年
留言
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SIEMENS/西门子TO-220 |
271 |
0645+ |
上传都是百分之百进口原装现货 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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14年
留言
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InfineonTO-220 |
6200 |
17+ |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
8000 |
26+ |
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13年
留言
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INFINE0NTO-220-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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1年
留言
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INFINEONTO-220 |
220 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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17年
留言
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INF |
100 |
24+ |
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10年
留言
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InfineonSMD1808 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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12年
留言
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飞英凌TO-TO-220 |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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1年
留言
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INFINEONTO-220 |
220 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
BUZ31L采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BUZ31L中文资料Alldatasheet PDF
更多BUZ31L功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ31LXK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
BUZ31LHXKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
BUZ31LH制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 200V 13.5A TO220
BUZ31LE3044ANT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 13.5A 3-Pin(2+Tab) TO-220AB SMD T/R
BUZ31L3045AXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 13.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
BUZ31L H功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ31L E3044A功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件



























