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BUZ941Z-220	文件：258.209 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：258.209 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZZ1	文件：514.35 Kbytes Page：17 Pages	Sample Program (Musical Scale) 文件：514.35 Kbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
BUZ10	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL 50V - 0.06W - 23A TO-220 STripFET] MOSFET	ST 意法半导体	ST
BUZ10	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 50V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220	NJS 新泽西半导体	NJS
BUZ100	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated)	Infineon 英飞凌	Infineon
BUZZER-KIT-ND	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：套件音频套件描述：MAGNETIC BUZZER KIT	TDK 东电化	TDK

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产品属性

产品编号：
SMBJ5.0A-TR
制造商：
STMicroelectronics
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
SMBJ, TRANSIL™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
5V
电压 - 击穿（最小值）：
6.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
9.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
68A
功率 - 峰值脉冲：
600W
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AA，SMB
供应商器件封装：
SMB（DO-214AA）
描述：
TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB

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