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HIGH VOLTAGE NPN SILICON TRANSISTOR 文件：44.28 Kbytes 页数：4 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.52 Kbytes 页数：1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | ||
Bipolar Junction Transistors | TT Electronics | TT Electronics | ||
Bipolar Junction Transistors | TT Electronics | TT Electronics | ||
Bipolar Junction Transistors | TT Electronics | TT Electronics | ||
Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 400V 10A TO3 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
1000V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BU626A,2SC2123,2SD1094,3DD265D,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
1000
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
100
详细参数
- 型号：
BUY69
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN High Voltage
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
MOT/PHI |
24+ |
TO-3 |
680 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
MOT/PHI |
专业铁帽 |
TO-3 |
680 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
MOT/PHI |
专业铁帽 |
TO-3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
N/A |
24+/25+ |
38 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
CDIL |
18+ |
TO3 |
12500 |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
询价 | ||
STM |
23+ |
316 |
询价 | ||||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
TO-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
BUY69B |
25+ |
4 |
4 |
询价 |
