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BUXD87中文资料高功率NPN硅晶体管数据手册ST规格书

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厂商型号

BUXD87

参数属性

BUXD87 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 450V 0.5A DPAK

功能描述

高功率NPN硅晶体管
TRANS NPN 450V 0.5A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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BUXD87规格书详情

描述 Description

The BUXD87 is manufactured using High Voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage withstand capability.

特性 Features

• REVERSE PINS OUT Vs STANDARD IPAK/DPAK PACKAGE
• HIGH DC CURRENT GAIN
• HIGH VOLTAGE CAPABILITY
• SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX \\\"T4\\\")
• THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX \\\"-1\\\")

简介

BUXD87属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BUXD87晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BUXD87

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :450

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :1000

  • Collector Current_abs_max(A)

    :0.5

  • Dc Current Gain_typ

    :50

  • Test Condition for hFE (IC)

    :0.05

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :5

  • VCE(sat)_max(V)

    :1

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :0.2

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :20

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