BUX87中文资料高压硅功率晶体管数据手册ST规格书
BUX87规格书详情
描述 Description
The BUX87 is manufactured using High Voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage withstand capability.
特性 Features
• High voltage capability (450 V VCEO)
• High DC current gain
• Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
简介
BUX87属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BUX87晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BUX87
- 生产厂家
：ST
- Package
：SOT-32
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：NPN
- Collector-Emitter Voltage_nom(V)
：450
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：450
- Collector-Base Voltage_max(V)
：1000
- Collector Current_max(A)
：0.5
- Collector Current_abs_max(A)
：0.5
- Dc Current Gain_min
：12
- Test Condition for hFE (IC)
：0.04
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：5
- VCE(sat)_max(V)
：1
- Test Condition for VCE(sat) - IC
：0.2
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
：20
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
SOT-32 |
942 |
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询价 | ||
PHI |
24+ |
NA/ |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
80000 |
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ST |
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TO126 |
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询价 | |||
ST/意法 |
2450+ |
TO126 |
6540 |
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STM |
20+ |
SOT-32-3 (TO-126-3) |
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询价 | |||
STM |
23+ |
SOT-32-3 (TO-126-3) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
PHI |
1997 |
TO220 |
43 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
3550 |
询价 |
