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BUT11F分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BUT11F

参数属性

BUT11F 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 5A TO220F-3

功能描述

Silicon Diffused Power Transistor

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

116.84 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2026-1-27 23:00:00

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BUT11F规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

High-voltage, high-speed glass-passivated npn power transistor in a SOT186 envelope with electrically insulated mounting base,intended for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.

产品属性

  • 产品编号:

    BUT11FTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 600mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-3

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 5A TO220F-3

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