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BUL1203E分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BUL1203E

参数属性

BUL1203E 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 550V 5A TO220

功能描述

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
TRANS NPN 550V 5A TO220

封装外壳

TO-220-3

文件大小

209.71 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-1 23:06:00

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BUL1203E规格书详情

BUL1203E属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的BUL1203E晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION

The BUL1203E is a new device manufactured using Diffused Collector technology to enhance switching speeds and tight hFE range while maintaining a wide RBSOA.

Thanks to his structure it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand a high collector current level during Breakdown condition, without using the transil protection usually necessary in typical converters for lamp ballast.

■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY

■ LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS

■ MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION

■ VERY HIGH SWITCHING SPEED

APPLICATIONS

■ ELECTRONIC BALLASTS FOR FLUORESCENT LIGHTING (277 V HALF BRIDGE AND 120 V PUSH-PULL TOPOLOGIES)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BUL1203E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 1A,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    9 @ 2A,5V

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 550V 5A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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