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BUK9Y22-30B中文资料N-channel TrenchMOS logic level FET数据手册Nexperia规格书
BUK9Y22-30B规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
特性 Features
• Low conduction losses due to low on-state resistance
• Q101 compliant
• Suitable for logic level gate drive sources
• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
应用 Application
• 12 V loads
• Automotive systems
• General purpose power switching
• Motors, lamps and solenoids
技术参数
- 制造商编号
：BUK9Y22-30B
- 生产厂家
：Nexperia
- Package version
：SOT669
- 型号
：BUK9Y22-30B
- Package name
：LFPAK56; Power-SO8
- Package version
：SOT669
- Product status
：Production
- Package name
：LFPAK56; Power-SO8
- Channel type
：N
- Product status
：Production
- Number of transistors
：1
- Channel type
：N
- V_DS [max] (V)
：30
- Number of transistors
：1
- R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)
：19
- V_DS [max] (V)
：30
- R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)
：22
- R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)
：19
- R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)
：24
- R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)
：22
- I_D [max] (A)
：37.7
- R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)
：24
- Q_GD [typ] (nC)
：4.5
- I_D [max] (A)
：37.7
- P_tot [max] (W)
：59.4
- Q_GD [typ] (nC)
：4.5
- Q_r [typ] (nC)
：33
- P_tot [max] (W)
：59.4
- V_GSth [typ] (V)
：1.65
- Q_r [typ] (nC)
：33
- Automotive qualified
：Y
- V_GSth [typ] (V)
：1.65
- C_iss [typ] (pF)
：705
- Automotive qualified
：Y
- C_oss [typ] (pF)
：188
- C_iss [typ] (pF)
：705
- Date
：2011-01-27
- C_oss [typ] (pF)
：188
- Date
：2011-01-27
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
9250 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT669 |
7350 |
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询价 | ||
恩XP |
09+ |
NA |
50 |
询价 | |||
恩XP |
22+ |
LFPAK56 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
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SOT669 |
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