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BUK9Y19-55B中文资料N-channel TrenchMOS logic level FET数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

BUK9Y19-55B

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 19:09:00

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BUK9Y19-55B规格书详情

描述 Description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

特性 Features

• Low conduction losses due to low on-state resistance
• Q101 compliant
• Suitable for logic level gate drive sources
• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating

应用 Application

• 12 V and 24 V loads
• Automotive systems
• General purpose power switching
• Motors, lamps and solenoids

技术参数

  • 制造商编号

    :BUK9Y19-55B

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :LFPAK56; Power-SO8

  • Product status

    :Production

  • Channel type

    :N

  • Nr of transistors

    :1

  • VDS [max] (V)

    :55

  • RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)

    :17.3

  • RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)

    :19

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)

    :21

  • Tj [max] (°C)

    :175

  • ID [max] (A)

    :46

  • QGD [typ] (nC)

    :8

  • Ptot [max] (W)

    :85

  • Qr [typ] (nC)

    :38

  • VGSth [typ] (V)

    :1.5

  • Automotive qualified

    :Y

  • Ciss [typ] (pF)

    :1494

  • Coss [typ] (pF)

    :217

  • Release date

    :2011-01-27

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