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BUK9K29-100E中文资料Dual N-channel TrenchMOS logic level FET数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

BUK9K29-100E

功能描述

Dual N-channel TrenchMOS logic level FET

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 10:46:00

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BUK9K29-100E规格书详情

描述 Description

Dual logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AECQ101 standard for use in high performance automotive applications.

特性 Features

• Dual MOSFET
• Q101 Compliant
• Repetitive avalanche rated
• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
• True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5V at 175°C

应用 Application

• 12 V Automotive systems
• Motors, lamps and solenoid control
• Transmission control
• Ultra high performance power switching

技术参数

  • 制造商编号

    :BUK9K29-100E

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :LFPAK56D; Dual LFPAK

  • Product status

    :Production

  • Channel type

    :N

  • Nr of transistors

    :2

  • VDS [max] (V)

    :100

  • RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)

    :27

  • RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)

    :29

  • Tj [max] (°C)

    :175

  • ID [max] (A)

    :30

  • QGD [typ] (nC)

    :10.9

  • Ptot [max] (W)

    :68

  • Qr [typ] (nC)

    :50.1

  • VGSth [typ] (V)

    :1.7

  • Automotive qualified

    :Y

  • Ciss [typ] (pF)

    :2727

  • Coss [typ] (pF)

    :169

  • Release date

    :2012-07-23

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