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BUK9E4R4-40B中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
BUK9E4R4-40B规格书详情
DESCRIPTION
·Drain Source Voltage
: VDSS= 40V(Min)
·Low RDS(ON)
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS),
motor control,welding, and in general purpose switching
resistance applications
产品属性
- 型号：
BUK9E4R4-40B
- 功能描述：
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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TO-262 |
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恩XP |
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