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BUK9907-55ATE中文资料安世数据手册PDF规格书

BUK9907-55ATE
厂商型号

BUK9907-55ATE

功能描述

N-channel TrenchPLUS logic level FET

文件大小

372.7 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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BUK9907-55ATE规格书详情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. The devices include TrenchPLUS diodes for

ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperature sensing. This product has been

designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical

applications.

1.2 Features and benefits

Allows responsive temperature

monitoring due to integrated

temperature sensor

Q101 compliant

Electrostatically robust due to

integrated protection diodes

Low conduction losses due to low

on-state resistance

1.3 Applications

12 V and 24 V high power motor

drives

Automotive and general purpose

power switching

Electrical Power Assisted Steering

(EPAS)

Protected drive for lamps

产品属性

  • 型号:

    BUK9907-55ATE

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCHPLUS MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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