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BUK9506-55B中文资料N-channel TrenchMOS logic level FET数据手册Nexperia规格书
BUK9506-55B规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
技术参数
- 型号:
BUK9506-55B
- 功能描述:
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
31500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
20+ |
TO-220AB |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
TO-220AB |
31500 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
恩XP |
1932+ |
TO-220 |
1895 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
PH |
24+ |
SOT78TO-220AB |
8866 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
SOT363 |
27000 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
PHI |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 | |||
恩XP |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
TO-TO-220AB |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |