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BUK7E11-55B中文资料N-channel TrenchMOS standard level FET数据手册Nexperia规格书
BUK7E11-55B规格书详情
描述 Description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
技术参数
- 型号：
BUK7E11-55B
- 功能描述：
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
TO262 |
7350 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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恩XP |
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NA |
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PH |
24+ |
TO-262SOT226I2-PAK |
8866 |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT226 |
10990 |
原装正品 |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
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TO-262 |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
22+ |
TO-262 |
25000 |
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