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BUK7E11-55B中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

BUK7E11-55B
厂商型号

BUK7E11-55B

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

326.99 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
ISC
数据手册

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更新时间

2025-8-4 16:46:00

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BUK7E11-55B规格书详情

FEATURES

·Drain Current : ID= 84A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 55V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 11mΩ(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

产品属性

  • 型号:

    BUK7E11-55B

  • 功能描述:

    MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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