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BUK764R3-40B中文资料N-channel TrenchMOS standard level FET数据手册Nexperia规格书
BUK764R3-40B规格书详情
描述 Description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
技术参数
- 型号：
BUK764R3-40B
- 功能描述：
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
N/A |
6000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
恩XP |
2511 |
N/A |
6000 |
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PHI |
23+ |
TO263 |
50000 |
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PH |
23+ |
TO263 |
7300 |
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PH |
25+ |
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24+ |
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恩XP |
23+ |
TO-263 |
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PH |
24+ |
SOT404TO-263D2PAK |
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询价 | |||
恩XP |
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恩XP |
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询价 |
