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BUK6D56-60E中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

BUK6D56-60E

功能描述

60 V, N-channel Trench MOSFET

丝印标识

4V

封装外壳

DFN2020MD-6

文件大小

289.57 Kbytes

页面数量

15

生产厂商

NEXPERIA

中文名称

安世

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-26 10:06:00

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BUK6D56-60E规格书详情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6

(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Extended temperature range Tj = 175 °C

• Side wettable flanks for optical solder inspection

• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)

• Trench MOSFET technology

• AEC-Q101 qualified

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• Low-side load switch

• Switching circuits

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