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BUK1M200-50SDLD中文资料Quad channel TOPFET数据手册恩XP规格书
技术参数
- 型号:
BUK1M200-50SDLD
- 功能描述:
MOSFET BUK1M200-50SDLD/SO20/REEL7//
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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PHI |
20+ |
TO220 |
67500 |
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恩XP |
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恩XP |
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TO220-5 |
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PHI |
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TO220 |
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恩XP |
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TO220-5 |
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恩XP |
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询价 |