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BUK127-50GT

PowerMOS transistor Logic level TOPFET

DESCRIPTION Monolithic temperature and overload protected logic level power MOSFET in TOPFET2 technology assembled in a 3 pin surface mount plastic package. FEATURES ● TrenchMOS output stage ● Current trip protection ● Overload protection ● Overtemperature protection ● Protection latched re

文件:53.36 Kbytes 页数:7 Pages

PHI

PHI

PHI

BUK127-50GT

PowerMOS transistor Logic level TOPFET

恩XP

恩XP

BUK763R1-60E

D2PAK

NEXPERIA

安世

上传:万三科技(深圳)有限公司

BUK765R0-100E,118

D2PAK

NEXPERIA/安世

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

NEXPERIA/安世

BUK7J1R4-40HX

SOT1023

NEXPERIA/安世

上传:深圳市拓亿芯电子有限公司

NEXPERIA/安世

详细参数

  • 型号:

    BUK127-50GT

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE-7 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
PHI
SOT-223
30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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SOT-223
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更多BUK127-50GT供应商 更新时间2026-2-2 14:01:00