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BUF725D中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

BUF725D

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

文件大小

285.07 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-25 10:16:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BUF725D

  • 别名:

    BUF725D三极管、BUF725D晶体管、BUF725D晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Di

  • 性质:

    LO_SAT

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    700V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    700

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    40

BUF725D规格书详情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 400V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat) :0.2V(Max) @IC= 0.85A

APPLICATIONS

· Electronic lamp ballast circuits

产品属性

  • 型号:

    BUF725D

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全称:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    SILICON NPN HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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