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BUF420M分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BUF420M

参数属性

BUF420M 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 450V 30A TO3

功能描述

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
TRANS NPN 450V 30A TO3

封装外壳

TO-204AA,TO-3

文件大小

282.02 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-26 14:02:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BUF420M

  • 别名:

    BUF420M三极管、BUF420M晶体管、BUF420M晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    LSO

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    850V

  • 最大电流允许值:

    30A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    850

  • htest:

    999900

  • atest:

    30

  • wtest:

    200

BUF420M规格书详情

BUF420M属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的BUF420M晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION

The BUF420M is manufactured using High Voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capacity. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining a wide RBSOA. The BUF series is designed for use in high-frequency power supplies and motor control applications.

■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE

■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY

■ VERY HIGH SWITCHING SPEED

■ MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION

■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS

APPLICATIONS:

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES

■ MOTOR CONTROL

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BUF420M

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 4A,20A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS NPN 450V 30A TO3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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