BUB323Z分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BUB323Z |
| 参数属性 | BUB323Z 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK |
| 功能描述 | NPN Silicon Power Darlington |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
85.5 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-9 13:26:00 |
| 人工找货 | BUB323Z价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BUB323Z规格书详情
BUB323Z属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的BUB323Z晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号：
BUB323Z
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.7V @ 250mA，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
500 @ 5A，4.6V
- 频率 - 跃迁：
2MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D²PAK
- 描述：
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
TO-263 |
7500 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2021/2022+ |
标准封装 |
8000 |
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询价 | ||
ON |
23+ |
TO263 |
50000 |
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ON |
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ST |
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24+ |
N/A |
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ON |
23+ |
TO263 |
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ON |
24+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
25000 |
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ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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