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BU900TP

NPN power TRILINTON

ST

意法半导体

BU900TP

NPN power TRILINTON

文件:114.28 Kbytes 页数:8 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BU900TP

Package:SOT-82;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 370V 5A SOT82-3

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUZ900

N-CHANNEL POWER MOSFET

POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES • HIGH SPEED SWITCHING • N–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) • HIGH ENERGY RATING • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROTECTION DIODE • P–CHANNEL ALSO AVAILABLE AS BUZ905 &

文件:43.03 Kbytes 页数:4 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

BUZ900

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:82.31 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BUZ900DP

N-CHANNEL POWER MOSFET

POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES • HIGH SPEED SWITCHING • N–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAGE (160V & 200V) • HIGH ENERGY RATING • ENHANCEMENT MODE • INTEGRAL PROTECTION DIODE • P–CHANNEL ALSO AVAILABLE AS BUZ905DP &am

文件:45.61 Kbytes 页数:3 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

产品属性

  • 产品编号:

    BU900TP

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - Trilinton,齐纳箝位

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 3mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    7000 @ 1A,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    SOT-82

  • 供应商器件封装:

    SOT-82-3

  • 描述:

    TRANS NPN 370V 5A SOT82-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STMicroelectronics
25+
N/A
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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22+
NA
3000
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STMicroelectronics
2022+
SOT-82-3
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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ST
25+
原厂原封
16900
原装,请咨询
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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
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ST
26+
NA
60000
只有原装 可配单
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STMicroelectronics
25+
N/A
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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ROHM
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N/A
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ROHM/罗母
2018+
UCSP35L1
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更多BU900TP供应商 更新时间2026-4-17 16:12:00