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BU508AFTBTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3 整包；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 700V 5A TO3PF	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BU508A-M	文件：206.16 Kbytes Page：2 Pages	Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 800V (Min) 文件：206.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU508AT	文件：98.65 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR POWER TRANSISTOR High Voltage, High-Speed Switching Transistor Intended for use in Horizontal Deflection Circuits of Colour Televisions 文件：98.65 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BU508AT	文件：194.81 Kbytes Page：2 Pages	Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 700V (Min) 文件：194.81 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
BU508AFTBTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 2A，4.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2.25 @ 4.5A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3 整包
供应商器件封装：
TO-3PF
描述：
TRANS NPN 700V 5A TO3PF

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