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BU508AF分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BU508AF

参数属性

BU508AF 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 700V 8A TO3PF

功能描述

Silicon Diffused Power Transistor

封装外壳

TO-3P-3 整包

文件大小

61 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2026-1-26 20:53:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BU508AF

  • 别名:

    BU508AF三极管、BU508AF晶体管、BU508AF晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    LSO

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    1500V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BU2508AF,2SC3886,2SC3896,2SD1548,

  • 最大耗散功率:

    34W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-28

  • vtest:

    1500

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    34

BU508AF规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

High voltage, high-speed switching npn transistors in a fully isolated SOT199 envelope, primarily for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers.

产品属性

  • 产品编号:

    BU508AF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 1.6A,4.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    200µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 100mA,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-3PF

  • 描述:

    TRANS NPN 700V 8A TO3PF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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