BU508AF分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
BU508AF |
| 参数属性 | BU508AF 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 700V 8A TO3PF |
| 功能描述 | High voltage NPN Power transistor for standard Definition CRT display |
| 封装外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 文件大小 |
99.44 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-19 23:41:00 |
| 人工找货 | BU508AF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
BU508AF规格书详情
BU508AF属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的BU508AF晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
描述 Description
The BU508AF is manufactured using diffused collector in planar technology adopting new and enhanced high voltage structure for updated performance to the horizontal deflection stage.
特性 Features
■ State-of-the-art technology:
– Diffused collector “Enhanced generation”
■ Stable performances versus operating temperature variation
■ Low base-drive requirement
■ Tight hFE range at operating collector current
■ High ruggedness
■ Fully insulated power package U.L. compliant
Applications
■ Horizontal deflection output for CRT TV
■ Switch mode power supplies for CRT TV
产品属性
更多- 产品编号:
BU508AF
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 1.6A,4.5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
200µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 100mA,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3P-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-3PF
- 描述:
TRANS NPN 700V 8A TO3PF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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