选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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PHTO-3P |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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SANYO/三洋TO-3P |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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SANYOTO-3P |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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STTO-3P |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VAL原厂原装 |
31000 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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PHTO-3P |
5 |
05+ |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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SANYO/三洋TO-3P |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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SANYO/三洋TO-3P |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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ISCTO-3PN |
15800 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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SANYO/三洋TO-3P |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-3PN |
10000 |
全新 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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POWERINNOVAT |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-3P |
150 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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PH |
2800 |
23+ |
正品原装货价格低qq:2987726803 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ISCNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
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STTO-3P |
18000 |
23+ |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
留言
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IR原厂封装 |
5177 |
23+ |
现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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BOURNSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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ST/意法TO218 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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N/ANA |
30000 |
23+ |
有挂就有货,只做原装免费送样,可BOM配单 |
BU426采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BU426图片
BU426A中文资料Alldatasheet PDF
更多BU426制造商:Bourns Inc
BU426A制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-247 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR, NPN, TO-247 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:NPN power transistor,BU426A 6A
BU426AF制造商:SAVANTIC 制造商全称:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
BU426A-S功能描述:两极晶体管 - BJT 900V 6A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BU426F制造商:CDIL 制造商全称:Continental Device India Limited 功能描述:TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL
BU426-S功能描述:两极晶体管 - BJT 800V 6A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
BU426
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 500mA,2.5A
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-218-3
- 供应商器件封装:
TO-218
- 描述:
TRANS NPN 375V 6A TO218
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
开关管 (S)_功率放大 (L)_电视 (TV)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
800V
- 最大电流允许值:
6A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BU526,BU626,BU926,3DK208E,
- 最大耗散功率:
70W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-62
- vtest:
800
- htest:
999900
- atest:
6
- wtest:
70