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BU323ZG

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ON(安森美)标准封装

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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

深圳市佳芯扬电子有限公司

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ON(安森美)NA

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ON(安森美)标准封装

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ON/安森美TO-3P

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深圳市富芯乐电子科技有限公司

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MOTTO220-3

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ON(安森美)标准封装

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深圳市勤谨实业有限公司

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原装正品,可来电咨询

深圳市世海业科技有限公司

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全新、原装现货

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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ONTO-3P

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原装现货,特价销售

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深圳市宇创芯科技有限公司

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ON(安森美)N/A

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原装正品现货支持实单

深圳市安罗世纪电子有限公司

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MOTOROLASMD

1412

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安罗世纪电子只做原装正品货

深圳诚思涵科技有限公司

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ON(安森美)标准封装

5000

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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemiSOT-93

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深圳市宸远科技有限公司

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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BU323Z功能描述:达林顿晶体管 10A 350V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

BU323Z/D功能描述:NPN Silicon Power Darlington

BU323Z_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected

BU323Z_09制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Darlington

BU323ZG功能描述:达林顿晶体管 10A 350V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

产品属性

  • 产品编号:

    BU323Z

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.7V @ 250mA,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    500 @ 5A,4.6V

  • 频率 - 跃迁:

    2MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-218-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-93

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 350V 10A SOT93