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IRF5210S	文件：186.9 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-40A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF5210S	文件：296.67 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF5210S	文件：998.16 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch100VFastSwitchingMOSFETs 100EASGuaranteed GreenDeviceAvailable SuperLowGateCharge ExcellentCdV/dteffectdecline AdvancedhighcelldensityTrenchtechnology	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF5210SPBF	文件：696.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces	IRF International Rectifier	IRF

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更多BTS5210L供应商更新时间2025-7-17 13:01:00