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BTN5551A3

General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor

Description The BTN5551A3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features • High collector-emitter breakdown voltage. (BVCEO=160V @ IC=1mA) • Complement to BTP5401A3

文件:144.39 Kbytes 页数:4 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

BTN5551A3

Bipolar Transistor

Cystek

全宇昕科技

BTN7930B

INFINEON
TO263-7

Infineon

英飞凌

上传:深圳市创芯联盈电子有限公司

BTN7971B贴片三极管

INFINEON/英飞凌
SOT-263-7

INFINEON/英飞凌

上传:上海世强芯半导体有限公司

INFINEON/英飞凌

BTN8962TA

INFINEON
TO263

Infineon

英飞凌

上传:瀚佳科技(深圳)有限公司

详细参数

  • 型号:

    BTN5551A3

  • 制造商:

    CYSTEKEC

  • 制造商全称:

    Cystech Electonics Corp.

  • 功能描述:

    General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CYS
24+
SOT-23
9600
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CYS
23+
SOT-23
48000
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CYSTECH/全宇昕
23+
SOT-23
50000
原装正品 支持实单
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CYS
25+
SOT-23
3000
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恩XP
24+
TO-220F
17860
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LEDBRIGHT
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原装正品现货库存价优
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LEDBRIGHT
25+
DIP
18000
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LEDBRIGHT
24+
DIP
40
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LEDBRIGHT
23+
DIP
5000
原装正品,假一罚十
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LEDBRIGHT
23+
原厂正规渠道
5000
专注配单,只做原装进口现货
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更多BTN5551A3供应商 更新时间2025-10-4 15:16:00