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BTB1326I3

Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor

Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.6 V (typical), at IC / IB = -4A / -0.1A • Excellent DC current gain characteristics • Complementary to BTD2097I3

文件:138.07 Kbytes 页数:4 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

BTB1326I3

Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor

Cystek

全宇昕科技

BTB16

黄山芯微
TO-263

黄山芯微

上传:深圳广友电子有限公司

黄山芯微

BTB24

黄山芯微
TO-263

黄山芯微

上传:深圳广友电子有限公司

黄山芯微

BTF6070-2EKV

INFINEON
SOP14

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NK/南科功率
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更多BTB1326I3供应商 更新时间2025-10-6 13:28:00