| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
BSZ023N04LSATMA1
- 产品分类：
IC芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
5000
- 产品封装：
PG-TSDSON-8-FL
- 生产批号：
21+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-11-19 13:02:00
BSZ023N04LSATMA1价格INFINEON/英飞凌斌腾达科技
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
：BSZ023N04LSATMA1
- 生产厂家
：英飞凌
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：40V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：22A（Ta），40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：4.5V，10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：2.35 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：2V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：37nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：2630pF @ 20V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：2.1W（Ta），69W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：PG-TDSON-8
- 封装/外壳
：8-PowerTDFN
供应商
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- BSZ031NE2LS5ATMA1
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- BSZ034N04LSATMA1
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