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IWR0260U	文件：116.93 Kbytes Page：1 Pages	HIGHVOLTAGEFASTRECTIFIERDIODES&DIODESARRAYS	INTEGRAL Integral Corp.	INTEGRAL
KVM-0260	文件：623.84 Kbytes Page：3 Pages	2-PortCableKVMSwitch,DVI,USB,Audio	LVL1 Level One	LVL1
MK0260	文件：142.47 Kbytes Page：2 Pages	REEDSensor	MEDERStandex-Meder Electronics 斯丹麦德电子	MEDER
MSN0260D	文件：630.41 Kbytes Page：6 Pages	20V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
NCE0260	文件：363.55 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0260P	文件：362.22 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0260T	文件：318.37 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE0260Tusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=200V,ID=60A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
P0260AD	文件：1.08688 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P0260AT	文件：339.7 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P0260ED	文件：777.02 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC

晶体管资料

型号：
BSTD0260
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
50HZ－Thy
性质：
封装形式：
特殊封装
极限工作电压：
900V
最大电流允许值：
8.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BTW42/1000R,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
F-1
vtest：
900
htest：
999900
atest：
8.5
wtest：
0

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更多BSTD0260供应商更新时间2025-5-7 15:00:00

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